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전기연, 트렌치 구조 SiC 전력반도체 개발

전기연, 트렌치 구조 SiC 전력반도체 개발

송고시간2021-04-21 15:26

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(창원=연합뉴스) 과학기술정보통신부 산하 한국전기연구원(전기연구원)이 SiC(Silicon Carbide·탄화규소) 전력반도체 소자 최첨단 기술인 트렌치 구조 모스펫(MOSFET)을 개발했다고 21일 밝혔다.

사진은 SiC 전력반도체 제조용 웨이퍼. 2021.4.21

[한국전기연구원 제공. 재판매 및 DB 금지]

photo@yna.co.kr

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